熱處理相關(guān)（1類(lèi)）
在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進(jìn)行回流（Reflow）的“退火設備（Anneal）”。
檢測設備（1類(lèi)）
EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設備、或者“帶有線(xiàn)路的掩膜”的檢測設備。
曝光相關(guān)（4類(lèi)）
1.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）。
2.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）的生產(chǎn)設備。
3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設備（Coater Developer）。
4.用于處理晶圓的步進(jìn)重復式、步進(jìn)掃描式光刻機設備（光源波長(cháng)為193納米以上、且光源波長(cháng)乘以0.25再除以數值孔徑得到的數值為45及以下）。（按照筆者的計算，尼康的ArF液浸式曝光設備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設備不在此范圍。）
干法清洗設備、濕法清洗設備（3類(lèi)）
1.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘渣、氧化銅膜，形成銅膜的設備。
2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應腔(Multi-chamber)設備。
3.單片式濕法清洗設備（在晶圓表面性質(zhì)改變后，進(jìn)行干燥）。
蝕刻（3類(lèi)）
1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤(pán)（Chuck）的設備。
2.濕法蝕刻設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。
3.為異向性蝕刻設備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥的設備。
成膜設備（11類(lèi)）
1.如下所示的各類(lèi)成膜設備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。
利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。
利用自下而上（Bottom-up）成膜技術(shù)，填充鈷（Co）或者鎢（W）時(shí)，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設備。
在同一個(gè)腔體（Chamber）內進(jìn)行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時(shí)、利用有機化合物形成鎢（W）膜的設備。
可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態(tài)（或者惰性環(huán)境）的、含多個(gè)腔體的、可處理多個(gè)工序的成膜設備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。
利用以下所有工藝形成銅線(xiàn)路的設備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用PVD技術(shù)，形成銅（Cu）層膜的工藝。
利用金屬有機化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設備。
在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產(chǎn)生空隙（空隙的寬度和深度比超過(guò)五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設備。
2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態(tài)下(或者惰性環(huán)境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長(cháng)鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設備。
3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設備。
4.“空間原子層沉積設備（僅限于支持與旋轉軸晶圓的設備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關(guān)技術(shù)手法。
5.可在400度一一650度溫度下成膜的設備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內產(chǎn)生的自由基(Radical)產(chǎn)生化學(xué)反應，從而形成薄膜的設備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿(mǎn)70納米的線(xiàn)路而言，其與線(xiàn)路深度的比超過(guò)五倍。（3）線(xiàn)路的線(xiàn)距（Pitch）為100納米以下。
6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長(cháng)法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設備的掩膜)的設備。
7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長(cháng)的以下所有設備屬于管控范圍。（1）擁有多個(gè)腔體，在多個(gè)工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態(tài)（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環(huán)境）的設備。（2）用于半導體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設計的腔體的設備。（3）外延生長(cháng)的工作溫度在685度以下的設備。
8.可利用等離子技術(shù)，形成厚度超過(guò)100納米、而且應力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設備。
9.可利用原子層沉積法或者化學(xué)氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內氟原子數量低于1019個(gè)）的設備。
10.為了不在金屬線(xiàn)路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產(chǎn)生間隙，利用等離子形成相對介電常數（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設備。
11.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火設備，通過(guò)再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線(xiàn)路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。
根據研究公司TrendForce的數據，未來(lái)3年，28nm及以上制程芯片預計將占據全球晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能的75%至80%。若擴大到45nm及以下節點(diǎn)，將影響幾乎所有國內涉及SoC、FPGA、CIS、SSD主控等邏輯晶圓制造商和3D NAND存儲器制造商。
商務(wù)部：堅決反對日本半導體制造設備出口管制措施
對此，商務(wù)部新聞發(fā)言人表示，此舉是對出口管制措施的濫用，是對自由貿易和國際經(jīng)貿規則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
以下為答記者問(wèn)全文：
問(wèn)：
5月23日，日本政府正式出臺半導體制造設備出口管制措施。中方對此有何評論？
答：
我們注意到，日本政府正式出臺針對23種半導體制造設備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿易和國際經(jīng)貿規則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
在日方措施公開(kāi)征求意見(jiàn)期間，中國產(chǎn)業(yè)界紛紛向日本政府提交評論意見(jiàn)，多家行業(yè)協(xié)會(huì )公開(kāi)發(fā)表聲明反對日方舉措，一些日本行業(yè)團體和企業(yè)也以各種方式表達了對未來(lái)不確定性的擔憂(yōu)。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應業(yè)界合理訴求，將嚴重損害中日兩國企業(yè)利益，嚴重損害中日經(jīng)貿合作關(guān)系，破壞全球半導體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全和穩定。
日方應從維護國際經(jīng)貿規則及中日經(jīng)貿合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國半導體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實(shí)維護全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈穩定。中方將保留采取措施的權利，堅決維護自身合法權益。
該文轉載自半導體風(fēng)向標，轉載目的在于傳遞信息，并不代表我們贊同文章觀(guān)點(diǎn)和對其真實(shí)性負責，內容僅供參考。
